应用描述

随着5G通信在全国的推广并落地，对5G通讯电源提出了更高的要求。整个电源系统必须具有高能效、高密度和高可靠性，以提供所需的高水平电源性能。

在开关电源中，功率半导体器件的损耗约占总损耗的30%~80%，因此降低功率半导体器件的损耗对于提高输出功率，同时也是提高效率具有重要意义。对于开关电源中常用的功率半导体器件MOS，损耗包括包括开关损耗（半导体开通和关断过程中产生的损耗）和导通损耗（半导体在稳态开通过程中由于导通电阻或者导通压降产生的损耗）。只有将开关损耗和导通损耗都减小才可以降低半导体的整体损耗。

功成半导体推出的SGT MOS 和SJ MOS系列产品通过工艺与技术优化，具有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。

拓扑结构图

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