功率半导体器件又称为电力电子器件，是通过控制栅压来调节电流大小的电子元件，是功率控制系统中不可缺少的关键组件，它主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，经常出现在电子电路中。那么他们两者的不同之处在哪里呢？

今天，我们就来聊一聊这个话题。

什么是MOS？

MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)，或者是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型，P沟耗尽型和增强型四大类。

什么是IGBT？

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件。

结构、原理

从结构上，MOSFET由源极、漏极和栅极端子组成；IGBT由发射极、集电极和栅极端子组成。在超大功率应用中，晶体管以其高耐压、大电流、低导通损耗的优势长期处于统治地位，但是作为电流控制型器件，晶闸管的驱动电路复杂，且需要额外的保护元件来维持其稳定运行。 MOSFET 器件由于仅靠单一载流子导电，并且利用简单的电压进行驱动，在高频应用领域有较大优势，但很难实现大功率应用。为满足易驱动大功率的市场需求IGBT应运而生，IGBT 很好的结合了 MOSFET和晶体管的优势，具有易驱动、高耐压、低饱和压降、开关频率高等特点，IGBT工作时电子、空穴两种载流子共同导电，并且由于电导调制效应，使其具有极低的通态压降，满足了人们对电子器件性能的需求。

特性参数

在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT；在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。

IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。

IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。

IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。

IGBT具有较大的关断时间，MOSFET的关断时间较小。

IGBT可以处理瞬态大电压和电流，但当发生瞬态电压时，MOSFET的运行会受到较大的干扰。

应用领域

结构特性决定了两者的应用领域不同。MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。非常适用于中小功率的马达驱动、电钻工具、工业开关电源、新能源、光伏逆变、充电桩、无人机、交通运输领域、车载逆变器、电动自行车、绿色照明等领域。IGBT具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。