随着数字经济的快速发展，数据中心高速发展的同时，其高耗能问题也日益凸显。据国际能源署预测，到2030年，数据中心的能耗将占全球电力需求的3.2%，普通的超大规模数据中心每年消耗20-50MW的电力（理论上足以为37,000个家庭供电）。并且，随着5G时代到来，数据中心耗电量将快速增加。居高不下的耗电量、温室气体的排放、大量的水资源消耗和设备报废后的环境污染……数据中心数量与规模的快速增长已经为资源与环境带来巨大挑战。为了减少这些对环境的负面影响，必须采取低碳的解决方案。

数据中心是大型服务器集群，用于存储、处理和传输大量数据，属全年无休的工作状态。在数据中心内部，除了有计算机等IT设备外，还有制冷、照明等设备，这些设备都需要消耗电能。高耗能的应用环境，对电源提出了高可靠性、高效率、高功率密度的要求，通过选择高效的功率器件，如低导通电阻的MOSFET，减少电能转换过程中的损耗，实现更高的能源利用效率，在助力数据中心“双碳”上有重大意义。

CoolSemi 的超结MOSFET采用独特器件结构，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系，实现了低导通电阻与低栅极容值。作为DC/DC转换器用超结MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与市面同类型产品相比降低30%，具有更低的FOM值，达到更高的系统效率。

CoolSemi 的SGT MOSFET屏蔽栅功率器件通过工艺和技术的优化，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，在耐压BVDSS不变的情况下采用更浓掺杂的外延层，从而大幅降低比导通电阻Rsp和芯片面积。采用SGT结构使得米勒电容减少，开关电源速度提高，开关电源功耗大大减少。