慕尼黑上海电子展将于7月11-13日在上海国家会展中心举办。展会汇聚国内外优质电子企业加入，打造从产品设计到应用落地的横跨产业上下游的专业展示平台。功成半导体将在7.2号馆A616亮相，携多款拳头产品和应用方案登场，我们在此诚挚邀您莅临功成半导体展台参观与交流。

展会信息

日期：2023年7月11-13日

地点：上海·国家会展中心

展位号：7.2号馆 A616 

展位示意图

展位效果图

展品信息

Elite MOSFET 30V~250V SGT

功成的中低压SGT MOS，采用超深沟槽设计以及匹配更高掺杂浓度的外延，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线，获得更低的比导通电阻、更快的开关速度和更低的损耗。目前的SGT 产品拥有S1、S2、C1、D1、M1等系列，覆盖30V~250V的全系列电压平台，产品面向消费、通信、工业、汽车等领域，广泛应用于开关电源、电池保护、手机快充、电机控制、数据中心、太阳能光伏、汽车电子等细分市场。

Elite MOSFET 200V~1000V SJ

功成的高压SJ  MOSFET，在Deep-Trench工艺平台上，采用独特器件结构及特色工艺，开发出了覆盖200V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。凭借针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性的独特优化设计，产品不仅在充电桩、工业电源、5G通讯、光伏、新能源车载充电机等工业和车载产品上大量使用，也在TV电源、适配器、PD快充、LED照明、显示器等消费领域广泛应用。

高压高频IGBT 650V~1700V

功成的IGBT采用目前业内Trench FS工艺，依托于国内成熟的8寸/12寸晶圆生产线，成熟量产3um,2.4um pitch 15-75A产品，全力开发1.6um 100-200A产品，全系列提供较低导通压降和开关损耗，着力优化IGBT大电流并联特性。目前功成IGBT产品根据应用场景包括L、D、S、F、U、HF、R等系列，覆盖650/750/950/1200/1350/1700V的电压等级，聚焦应用于直流充电桩、光伏储能、汽车热管理、车载电源等领域。

智能功率模块IPM 500V~600V

IPM产品线基于大批量出货的成熟MOSFET, IGBT, Gate Driver产品，自主研发，主要有Nano、Micro、Mini系列，封装形式有SOP23，DIP23， DIP25，DIP24，产品应用于空调风机、压缩机、变频油烟机、冰箱、洗衣机、洗碗机、高速风筒、变频风扇、通用变频控制等市场。

SiC器件650V~1700V

功成所设计的第二代SiC MOSFET采用独特的元胞排列设计，大幅优化了芯片面积。该产品结电容较小，结合衬底减薄、激光退火等工艺，可实现开关速度快、损耗低的特性，适合高功率、高温、高频等多种高端应用场景。

关于功成半导体

公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域，产品已应用于直流充电桩、通信电源、服务器电源、便携式储能、户用储能、光伏逆变器、车载PTC等细分市场。身披多元化产品铠甲，功成半导体的产品目前已成功进入多家知名企业的供应链体系。公司与国内领先的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的ISO9001质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。