10月7日，无锡高新区（新吴区）举行集成电路产业重大项目集中签约，总投资达303.4亿元的19个集成电路重大项目落地，功成半导体亦位列其中。

此次成功签约的集成电路项目包括功成半导体功率模块制造基地项目、阿尔卑斯高端新型电子元器件项目、华润微电子半导体晶圆制造战略合作项目、先导集团半导体MOCVD、ALD沉积设备及高端外延装备研发生产基地及先导研究院项目等。

其中功成半导体功率模块制造基地项目，致力于功率半导体的研发和产业化。

此次功成半导体计划在无锡高新区（新吴区）投资建设12英寸IGBT功率模块制造基地项目，投资总额约8亿元。项目基于华虹无锡12英寸工艺线，设计生产12英寸功率分立器件产品，建设12条功率模块生产线。一期计划至2025年实现分立器件月产能2000片，建设6条功率模块生产线以及相关配套设施，模块月产能150万个。二期进一步提升产能，至2028年实现分立器件月产能5000片，新增建设6条功率模块生产线，模块月产能300万个。项目预计实现年销售11亿元。

功成半导体（CoolSemi）孵化于上海微技术工业研究院（简称“上海工研院 SITRI”），主要从事低压屏蔽栅、高压超结、IGBT、SiC、GaN等功率器件、功率模块、功率IC的设计和研发。公司核心团队成员来自中科院、复旦大学、台达电子、安森美、富士电机、GaN System等知名研究单位和产业界知名公司。除人才资本外，功成半导体还联合上海工研院、复旦大学等产业孵化平台和知名研究单位共同开展产业研发和共建研发实验室。借助于上海工研院的产业孵化能力和技术研发平台实现了新产品的快速研发、快速迭代和产业资源的深度融合。

目前，功成半导体的低压CoolSGT和高压CoolFET产品已经实现规模化量产，IGBT产品小批量试产，公司目前重点建设IPM模块研发生产中心，积极研发和布局第三代半导体SiC及GaN功率器件等。得益于强大的研发能力和出色的器件设计，功成半导体推出的差异化产品相较同行具有明显的性能优势，功率转换效率明显提高，同时为实现功率变化控制，功成半导体已经着手功率IC的设计和研发。

随着公司产品内容的不断丰富和逐步完善，功成半导体不久将能为客户提供一站式功率系统解决方案。

此次签约对功成半导体而言将是一次全新且可万分期待的赋能。公司将充分发挥自身优势，凭借园区高度融合发展的集成电路全产业创新，深入布局功率半导体生态产业链，通过不懈努力和深入耕耘，将公司打造成全球优秀的半导体器件供应商，为打造顺应市场需求并持续创新的功率半导体而不懈探索，稳步前行。