功成半导体

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殊荣+1,功成半导体荣获“上海市级设计创新中心”称号

2024-03-04

近日,上海市经济和信息化委员会公布了2023年度市级设计创新中心名单,经过企业自主申报和市、区两级评审,功成半导体获评市级企业设计创新中心。这是继获评“国家高新技术企业”上海市“专精特新企业”“嘉定区科技小巨人企业”“张江之星企业”称号后的又一重要殊荣。

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上海市设计创新中心是指经上海市经济和信息化委员会认定,在工业、建筑、服务、时尚、数字经济等各领域中,设计创新力强、业绩突出、发展水平领先的设计创新机构。

此次功成半导体获评市级企业设计创新中心认定,充分体现了社会各界对公司创新能力、成长性、贡献度等方面的高度认可。

自成立以来,功成半导体始终高度重视企业研发创新能力和知识产权转化水平,坚持将销售收入的5%以上投入研发。截至目前,功成半导体累计获得申请专利124项,授权专利52项。

公司拥有一批技术功底扎实,研发实力高精尖的研发梯队,同时每年引进多名具有专业水平和实践经验的技术骨干力量。以企业自有技术为依托,不断加大科研投入与科技成果转化力度,转化销售产品综合技术处于国内领先。

多年的设计创新探索,已形成功率器件及模块(SGT,超结MOS,IGBT,IPM,SiC MOS),功率芯片(高边驱动HSD,e-Fuse)的产品组合。产品性能达到领先国内、比肩国际的一流水平,广泛应用于充电桩及数据中心等工业领域,并获得国内外客户的普遍认可。在车规领域,IGBT产品已通过莱茵AEC Q101车规认证,正式进入上汽供应链体系。

未来,功成半导体将以上海市设计创新中心为依托,不断增强创新设计能力,打造核心优势产品,助力上海集成电路先导产业高质量发展。