一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑。传统加油汽车，几分钟加满就可以悠哉上路，而电动汽车排队2小时充电1小时，才能完成补能。因此提升充电速率现成为各大车企的重要任务，在汽车充电领域，目前主要有两种补能形式：一种是小区、家庭、工厂园区等目的地的小功率直流慢充；另一种是公共领域的超级快充。而超级快充是未来电动汽车公共领域补能的主要形态。实现快充的核心在于提升充电速率，而影响充电速率关键因素——功率半导体成为主要攻关对象。

功率半导体新能源车充电的核心

目前车用功率半导体中主要用到的是 IGBT 和 MOSFET，具体的选用还得看充电桩功率、开关频率、电压、电流、价格因素来决定。若考虑成本原因，建议可选用MOSFET作为开关电源模块核心功率器件。若想实现大功率直流快充，推荐选用IGBT。功成半导体推出的超结MOS、IGBT产品方案能够满足不同客户的需求。

图1：典型应用拓扑结构图

功成半导体推出的高压超结MOSFET，是在全球领先的晶圆代工Deep-Trench工艺平台上，采用独特器件结构及特色工艺，开发出覆盖500V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。在开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性方面具有优异特性以及高可靠性的独特优化设计。

功成半导体推出的IGBT采用Trench FS工艺，依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线，拥有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品拥有F、S、D、L等系列，可覆盖600V~1200V以及5A~100A的功率范围。

图2：CoolSemi推荐选型方案

 功成半导体的功率器件用于高能效电源转换拓扑中，赋能电动汽车直流充电桩设计，解决“新能源车充电慢”问题。