News Center
近日，国际独立第三方检测、检验和认证机构德国莱茵TÜV集团（以下简称“TÜV莱茵”）向上海功成半导体科技有限公司（以下简称“功成半导体”）的IGBT系列产品颁发了AEC-Q101认证证书，这是功成半导体在车规相关产品领域上的首次突破。功成半导体CEO徐大朋、首席运营官刘烨、首席技术官罗杰馨、TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵、销售副总经理张春涛等双方代表出席了本次颁证仪式。 AEC即Automotive Electronics Council，是美国汽车电子委员会的简称。AEC-Q101认证是基于失效机理的分立半导体元件应力测试鉴定，由AEC委员会制定，适用于车用分立半导体元件的综合可靠性测试认证，是分立半导体元件应用于汽车领域的重要保证。通过了AEC-Q认证的器件，是产品质量与可靠性的保证，能够提高产品竞争力及溢价率。同时，对于车厂和一级供应商来说，使用通过AEC-Q认证的电子元器件风险小，因此具有相关认证的元器件将会是优先选择。 功成半导体此次通过AEC-Q101认证的IGBT产品将会主要应用于汽车电子热管理和车载电源领域，为客户提供满足车规级功能安全的功率器件。 左：TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵 右：功成半导体CEO徐大朋 功成半导体CEO徐大朋在颁证仪式上表示： 感谢TÜV莱茵专家对功成半导体IGBT产品首次认证AEC-Q101的指导和支持。 此次认证标志着功成产品从工业级跃升车规级的新阶段 ，未来我们将继续瞄准汽车电子这一高景气赛道作为重点发力方向，持续加大研发投入，丰富车规产品类型，从客户布局、应用类型、产品升级方面积极开拓汽车电子业务。期待未来在更多领域与TÜV莱茵深入合作，让更多功成自主研发的产品走出国门，面向世界。 TÜV莱茵大中华区太阳能与商业产品服务零部件业务总经理施兵表示： 祝贺功成半导体获得TÜV莱茵颁发的AEC-Q101认证证书。目前，AEC-Q认证作为电子元器件是否适用于汽车应用的一个标志，已经得到全球各相关企业的高度认可。TÜV莱茵一贯以来，对技术有着严谨要求，对新技术、新标准、新动向保持快速反应。我们期待与功成半导体在车规产品领域进一步加深合作，TÜV莱茵将持续助力功成半导体推出满足车规要求的产品，提升产品品质，增强市场竞争力，共同推动中国功率半导体行业的高质量发展。
2023-04-21
功成半导体 1号馆1C033 INVITATION 2023.4.7-9 中国·深圳国际会展中心 2023年4月7日，为期3天的第十一届中国电子信息博览会（CITE 2023），在深圳国际会展中心隆重开幕！本届博览会以“创新引领、协同发展”为主题，通过CITE主题馆、新型显示及应用馆、半导体产业及应用馆、电子生活生态馆、新一代信息通信产业集群馆、智能汽车技术馆、基础电子馆等七大展馆30个专业展区，为业界充分展示中国电子信息产业最新发展成果与趋势。 功成半导体 携手上海汽车芯谷等园区企业联合参展亮相。 展会首日，现场人潮涌动，掀起火爆观展热潮。近期，IGBT在电动车与太阳能光伏两大主流应用需求大增、大缺货的状态下，功成半导体展示的IGBT功率器件，吸引了众多业内人士的驻足咨询，可以说是凭实力出圈啊！ 除了IGBT， 功成半导体 携拳头产品高压超结器件CPW60R022FT4 亮相展会，它是一款600V/100A高压高功率快恢复超结器件（SJ），用于大功率直流充电桩中 。本产品增加电子辐照工艺，并优化匹配PW注入工艺，减小IDSS漏电流的同时获得更快的反向恢复时间。并且采用特殊的终端保护结构，有效提高器件的漏电特性和可靠性。极低特征导通电阻Rsp ，优于国内外同类产品，反向恢复时间预计可以缩短至140nS，反向恢复峰值电流降至15A左右。产品能够承受极为苛刻的环境条件，满足高压、高电流、高性能的电动汽车直流充电桩的需求，并可大量应用在PC电源、服务器电源、电信、太阳能逆变器和汽车超级充电器上。 比肩国际主流品牌的性能指标，真正实现国产替代的一款高压超结器件CPW60R022FT4，不仅赢得客户的认可，更获得CITE专家评委的高度评价，一举斩获“2023 CITE 创新奖”。 精彩不止于此，展会仍在继续- 本次展会持续到4月9日 期待大家莅临功成展位： 深圳国际会展中心（福田） 1号馆-1C033 我们将以最诚挚的热情 欢迎您的到来！
2023-04-07
聚光时刻 载誉而归 功成半导体 荣获2022年度上海嘉定工业区 “发展潜力奖 左四：柴展 研发部副总经理 功成半导体 ▲ 获奖企业代表大合影 本次获评是上海嘉定工业区对功成半导体作出的社会发展贡献，突出的企业经营管理业绩的认可。未来功成半导体将继续专注功率器件领域，持续优化公司发展战略，做深、做大、做强，深耕科技研发，扩大市场规模，提升竞力、增强韧力、开拓新力，力争进入国际功率半导体器件领先企业行列。 关于功成半导体 上海功成半导体科技有限公司 （CoolSemi）成立于2018年5月，总部位于上海，在无锡、深圳、成都等地设立分公司。 功成半导体 以市场需求为导向，技术创新为驱动，致力于半导体功率器件的研发与产业化，为客户提供高效可靠的产品。主要从事低压屏蔽栅SGT、高压超结SJ、沟槽栅场截止型IGBT、SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT、功率模块IPM、功率IC的设计和研发。 公司聚焦新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子领域，产品已应用于直流充电桩、通信电源、服务器电源、便携式储能、户用储能、光伏逆变器、车载PTC等细分市场。身披多元化产品铠甲，功成半导体的产品目前已成功进入多家知名企业的供应链体系。公司与国内领先的晶圆代工厂、封装测试代工厂紧密合作，具备完善的ISO9001质量管理体系，确保产品的持续优质和稳定供货。
2023-03-28
3月24日，由广东省磁性元器件行业协会、大比特资讯主办的2023’中国电子热点解决方案创新峰会在深圳宝安登喜路国际大酒店盛大召开，汇聚2000+上下游产业合作商，邀请40+方案提供商轮番演讲，涵盖8个年度热点话题，携手100+展商解锁热点应用。功成半导体，作为国内高端功率半导体器件提供商受邀参会。 在全球能源危机的大背景下，能源问题已成为当前世界经济发展中的核心问题之一，新能源产业的开发与保护之役愈演愈烈。积极拓展新能源的利用领域，提升新能源利用技术，是新能源未来的发展方向。 罗杰馨 首席技术官 功成半导体 在本次峰会光伏储能技术创新分论坛上， 功成半导体 首席技术官罗杰馨带来“芯功率驱动新能源”的主题演讲，共同探讨功率器件在光伏储能技术创新的话题。 1、电力能源现状与趋势 2021年全球各国发电量28.466万亿千瓦时, 同比2020年增长6.1%。中国发电量占全球发电量28.5%，发电量位居世界第一。2021年全球可再生能源发电8058TWh,占全球发电量28.3%。截至2021年底，全球光伏累计装机942GW, 风力发电累计837GW, 风光发电量占比超过10%。在碳中和背景下，电力能源结构绿色转型迫在眉睫，未来风、光等可再生能源发电成为增量电力供应的主要来源。 2、功率芯片驱动光储新能源发展 秉持着国内大循环、国内国际双循环新发展格局以及包容开放的心态，中国新能源发展逐渐迈向新台阶，光伏领域尤为明显。光伏逆变器作为光伏电站的核心设备，其功能与作用在整个电站起着重要作用。光伏逆变器按技术路线及功率水平可分为集中式、组串式和微型逆变器等。集中式逆变器单个逆变器功率等级较高，主要应用于光伏电站等集中发电场景；小组串式逆变器功率从几3KW到50KW，逆变器通常使用分立IGBT和SiC器件。电压要求650V，1200V，电流25-75A，开关频率要求16KHz ~32KHz，需要低Eon， Eoff。 大组串式逆变器针对电站和工商业场景，功率达到50KW-320KW，功率100KW以上逆变器Inverter电路主要采用模块，Boost升压部分，客户已经开始采用IGBT或者 SiC MOSFET，开关频率高达40KHz；功率100KW以下过去采用模块方案，近年大部分已经转为分立IGBT方案。微型逆变器适应40-80V电池板电压，功率器件采用600V MOSFET, SiC二极管产品。 3、功成半导体聚焦方案 除了精彩的主题演讲，现场还设置了由功成半导体特地布置的展示区，现场销售人员和应用工程师为与会人员提供详细地展示和讲解，吸引了与会嘉宾的持续关注。
2023-03-27
近日，上海市经济和信息化委员会公示2022年上海市“专精特新”企业名单（第二批）。 功成半导体 （CoolSemi）经过专家层层评审与综合评估，从众多优秀的中小企业中脱颖而出，荣获“上海市专精特新中小企业”称号 。 2022年上海市专精特新中小企业（第二批）公示名单 引导中小企业走“专精特新”发展道路，一直是党中央，国务院促进中小企业整体素质提高，实现我国产业组织结构升级，提升传统行业，培养新兴产业，发展新业态、创新新模式的重要举措。获评“专精特新”，是政府对功成半导体（CoolSemi）的创新能力、技术水平、发展前景等方面的综合实力的充分认可,也是对其科技创新属性、行业影响力和品牌价值的高度肯定。 “专”：专业化。 功成半导体 （CoolSemi）专注半导体功率器件的研发与产业化，核心产品：30V~250V分立栅SGT器件，600V~800V超结MOSFET器件，600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT，650V氮化镓GaN HEMT器件，600~1200V碳化硅器件和500V-600V智能功率模块IPM。凭借优异的产品性能和完善的服务，已为众多新能源、数据中心、汽车电子、智能家电以及高端消费电子客户提供高效率的功率控制解决方案。 “精”：精细化。 功成半导体 （CoolSemi）管理精细高效，在企业经营管理中建立了精细高效的制度、流程和体系，实现了生产精细化、管理精细化、服务精细化，形成了自己的企业核心竞争力。 “特”：特色化。功 成半导体 （CoolSemi）的MOSFET采用独特器件结构及特色工艺，针对开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性、高可靠性进行独特优化设计，与市面同类型产品相比，具有更明显的优势性能。 “新”：新颖化。功成半导体（CoolSemi）是一家集研发、生产及销售于一体的高新技术企业，拥有自主知识产权的核心技术及专利，截至2023年2月底，已累计申请专利91项。 未来，功成半导体将继续秉承“ 持续推动半导体器件革新，提升能源利用效率 ”的公司使命，坚定“ 成为高端功率半导体器件提供商 ”的发展愿景，持续加大科技创新投入，坚定不移走好“专精特新”的高质量发展道路，全面 助力绿色低碳转型 ，为实现国家“双碳目标”贡献 CoolSemi 的科技力量。
2023-03-09
随着数字经济的快速发展，数据中心高速发展的同时，其高耗能问题也日益凸显。据国际能源署预测，到2030年，数据中心的能耗将占全球电力需求的3.2%，普通的超大规模数据中心每年消耗20-50MW的电力（理论上足以为37,000个家庭供电）。并且，随着5G时代到来，数据中心耗电量将快速增加。居高不下的耗电量、温室气体的排放、大量的水资源消耗和设备报废后的环境污染……数据中心数量与规模的快速增长已经为资源与环境带来巨大挑战。为了减少这些对环境的负面影响，必须采取低碳的解决方案。 数据中心是大型服务器集群，用于存储、处理和传输大量数据，属全年无休的工作状态。在数据中心内部，除了有计算机等IT设备外，还有制冷、照明等设备，这些设备都需要消耗电能。高耗能的应用环境，对电源提出了高可靠性、高效率、高功率密度的要求，通过选择高效的功率器件，如低导通电阻的MOSFET，减少电能转换过程中的损耗，实现更高的能源利用效率，在助力数据中心“双碳”上有重大意义。 CoolSemi 的超结MOSFET采用独特器件结构，突破了传统硅基MOS器件的理论极限，导通电阻与击穿电压达到近似线性的关系，实现了低导通电阻与低栅极容值。作为DC/DC转换器用超结MOSFET的性能指数所使用的“FOM”与市面同类型产品相比降低30%，具有更低的FOM值，达到更高的系统效率。 CoolSemi 的SGT MOSFET屏蔽栅功率器件通过工艺和技术的优化，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，在耐压BVDSS不变的情况下采用更浓掺杂的外延层，从而大幅降低比导通电阻Rsp和芯片面积。采用SGT结构使得米勒电容减少，开关电源速度提高，开关电源功耗大大减少。
2023-03-03
功率半导体器件又称为电力电子器件，是通过控制栅压来调节电流大小的电子元件，是功率控制系统中不可缺少的关键组件，它主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。其中MOSFET和IGBT作为现代电子设备使用频率较高的新型电子器件，经常出现在电子电路中。那么他们两者的不同之处在哪里呢？ 今天，我们就来聊一聊这个话题。 什么是MOS？ MOS，是MOSFET的缩写。MOSFET 金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。 一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)，或者是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型，P沟耗尽型和增强型四大类。 什么是IGBT？ IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极结型晶体管)和MOS(金属-氧化物场效应晶体管)组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件。 结构、原理 从结构上，MOSFET由源极、漏极和栅极端子组成；IGBT由发射极、集电极和栅极端子组成。在超大功率应用中，晶体管以其高耐压、大电流、低导通损耗的优势长期处于统治地位，但是作为电流控制型器件，晶闸管的驱动电路复杂，且需要额外的保护元件来维持其稳定运行。 MOSFET 器件由于仅靠单一载流子导电，并且利用简单的电压进行驱动，在高频应用领域有较大优势，但很难实现大功率应用。为满足易驱动大功率的市场需求IGBT应运而生，IGBT 很好的结合了 MOSFET和晶体管的优势，具有易驱动、高耐压、低饱和压降、开关频率高等特点，IGBT工作时电子、空穴两种载流子共同导电，并且由于电导调制效应，使其具有极低的通态压降，满足了人们对电子器件性能的需求。 特性参数 在低电流区，MOSFET的导通电压低于IGBT；在大电流区IGBT的正向电压特性优于MOSFET。此外，由于MOSFET的正向特性对温度具有很强的正向依赖性，因此，IGBT的高温特性更好，导通电压比MOSFET低。 IGBT适用于中到极高电流的传导和控制，而MOSFET适用于低到中等电流的传导和控制。 IGBT的开关速度比较低，MOSFET开关速度非常高。 IGBT可以承受非常高的电压以及大功率，MOSFET仅适用于低至中压应用。 IGBT具有较大的关断时间，MOSFET的关断时间较小。 IGBT可以处理瞬态大电压和电流，但当发生瞬态电压时，MOSFET的运行会受到较大的干扰。 应用领域 结构特性决定了两者的应用领域不同。MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性。非常适用于中小功率的马达驱动、电钻工具、工业开关电源、新能源、光伏逆变、充电桩、无人机、交通运输领域、车载逆变器、电动自行车、绿色照明等领域。IGBT具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
2023-02-23
CKW30N65L1 Features 6µs of Short-circuit Withstand Time. Trench FS Technology Offering. Very Low VCE(sat). Positive Temperature Coefficient in VCE(sat). Very Tight Parameter Distribution. High Ruggedness, Temperature Stable Behavior. Maximum Junction Temperature: TJ=175℃. Applications HVAC compressor inverter (3kW) Industrial servo inverter (3kW) Solar string MPPT (1.5-2kW) Welding machines Modular UPS Other Inverter Application Topology 3 phase inverter Single phase Solar string MPPT Welding machines Package TO-247: 30A CKW40/50N65F1(Q) Features Trench FS Technology offering. Very low VCE(sat). Positive temperature coefficient in VCE(sat). Very tight parameter distribution. High ruggedness, temperature stable behavior. Maximum Junction Temperature: TJ=175℃. Applications DC charging PFC HVAC PFC (Q) Solar string MPPT (5kW) Solar string inverter (10kW) Topology Solar string MPPT+Heric (5kW) Solar string inverter (10kW) Package TO-247: 40A, 50A, 40A(FRD ¼) TO-263: 40A CKW40N65HF1H/ CKW50N65HF2H Features CoolSiC Hybrid Discrete Trench FS Technology offering. Very low VCE(sat). Positive temperature coefficient in VCE(sat). Very tight parameter distribution. High ruggedness, temperature stable behavior. Maximum Junction Temperature: TJ=175℃. Application Bidirectional TP-PFC in OBC Topology Package TO-247: 40A TO-247: 50A CKW40N120L2 Features 20µs of Short-circuit Withstand Time. Trench FS Technology offering. Very low VCE(sat). Positive temperature coefficient in VCE(sat). Very tight parameter distribution. High ruggedness, temperature stable behavior. Maximum Junction Temperature: TJ=175℃. Applications HVAC inverter PTC Heater Servo &GPD Topology 3 phase inverter Package TO-247: 40A CKW50N65F2(Q) Features Trench FS Technology offering. Very low VCE(sat). Positive temperature coefficient in VCE(sat). Very tight parameter distribution. High ruggedness, temperature stable behavior. Maximum Junction Temperature: TJ=175℃. Applications DC charging PFC (30kW) HVAC PFC (Q) Solar string MPPT (5kW) Solar string inverter (10kW) Modular UPS Other Inverter Application Topology Package TO-247: 50A
2023-02-08
一直以来，“里程焦虑”、“充电缓慢”都是卡住新能源汽车脖子的关键问题，是车企和车主共同的焦虑。传统加油汽车，几分钟加满就可以悠哉上路，而电动汽车排队2小时充电1小时，才能完成补能。因此提升充电速率现成为各大车企的重要任务，在汽车充电领域，目前主要有两种补能形式：一种是小区、家庭、工厂园区等目的地的小功率直流慢充；另一种是公共领域的超级快充。而超级快充是未来电动汽车公共领域补能的主要形态。实现快充的核心在于提升充电速率，而影响充电速率关键因素——功率半导体成为主要攻关对象。 功率半导体新能源车充电的核心 目前车用功率半导体中主要用到的是 IGBT 和 MOSFET，具体的选用还得看充电桩功率、开关频率、电压、电流、价格因素来决定。若考虑成本原因，建议可选用MOSFET作为开关电源模块核心功率器件。若想实现大功率直流快充，推荐选用IGBT。功成半导体推出的超结MOS、IGBT产品方案能够满足不同客户的需求。 图1：典型应用拓扑结构图 功成半导体推出的高压超结MOSFET，是在全球领先的晶圆代工Deep-Trench工艺平台上，采用独特器件结构及特色工艺，开发出覆盖500V~1000V电压平台和14mΩ~4000mΩ导通电阻的G1、G2、G3、G4、G5系列产品。在开关速度、反向恢复时间、开关损耗、EMI兼容性方面具有优异特性以及高可靠性的独特优化设计。 功成半导体推出的IGBT采用Trench FS工艺，依托于国内成熟且工艺领先的8寸/12寸晶圆生产线，拥有更低的导通压降和开关损耗，以及更强的可靠性。目前功成IGBT产品拥有F、S、D、L等系列，可覆盖600V~1200V以及5A~100A的功率范围。 图2：CoolSemi推荐选型方案 功成半导体的功率器件用于高能效电源转换拓扑中，赋能电动汽车直流充电桩设计，解决“新能源车充电慢”问题。
2023-01-23